RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link