RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2633
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link