RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link