RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
2706
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link