RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
1778
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link