RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
68
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2007
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link