RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB vs Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2080
1982
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link