RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
61
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
2359
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link