RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
67
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,167.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,885.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,167.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
284
2042
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link