RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
43
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
18
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3421
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link