RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
2664
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link