RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
59
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,160.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
59
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
2181
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link