RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,892.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
6,181.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,892.9
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
851
4084
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link