RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
56
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8800
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
21300
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
3260
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link