RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
56
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8800
Wokół strony 2.91 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
25600
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
2283
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link