RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
57
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
30
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3106
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link