RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
57
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3809
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link