RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
57
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
21
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3077
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BC1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link