RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
57
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
38
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2829
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link