RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3356
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link