RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2824
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link