RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
31
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
1860
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link