RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
73
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
73
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
1724
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link