RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1657
3726
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link