RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3663
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link