RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2239
3956
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link