RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
86
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
86
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
1658
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link