RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
86
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
86
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
1658
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link