RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2144
1440
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link