RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
3318
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link