RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
75
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
4116
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link