RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
1897
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link