RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2030
1843
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link