RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2032
3488
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link