RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2102
3187
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link