RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2009
1660
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link