RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
76
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1809
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link