RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
76
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1718
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link