RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2236
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link