RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3084
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link