RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2488
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link