RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2236
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link