RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1983
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link