RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1763
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link