RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
59
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2128
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link