Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Wynik ogólny

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Wynik ogólny

Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

11.9 11.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.5 7.5

Średnia wartość w badaniach

Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 27

Wokół strony -4% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns

27 26
Prędkość odczytu, GB/s

11.9 11.1
Prędkość zapisu, GB/s

8.5 7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 10600

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1620 1954

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB