RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3278
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link