RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3337
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link