RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3313
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link