RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3142
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link