RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2496
1863
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link